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IC封裝圖片大全(含各種名詞釋義)

Date: 2018-06-06
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IC封裝圖片大全

IC封裝圖片大全(含各種名詞釋義)

IC封裝圖片大全(含各種名詞釋義)

名詞釋義

IC封裝圖片大全(含各種名詞釋義)

COF(Chip On Flex,或Chip On Film,常稱覆晶薄膜)

將IC固定于柔性線路板上晶粒軟膜構裝技術,是運用軟質附加電路板作封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路接合的技術。


COG(Chip on glass)

即芯片被直接綁定在玻璃上。這種方式可以大大減小整個LCD模塊的體積,并且易于大批量生產,使用于消費類電子產品,如手機,PDA等。


DIP(dual in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分, 只簡單地統稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip。


PDIP

P-Plasti,表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。

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SDIP (shrink dual in-line package)

收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。


SKDIP/SKY(Skinny Dual In-line Packages)

DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見DIP)。


DIP-tab

DIP 的一種。


CDIP

C-ceramic,陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

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DICP(dualtapecarrierpackage)

雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI,但多數為定制品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定,將DICP命名為DTP。

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DIC(dualin-lineceramicpackage)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱。


SIP(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出,排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數從2 至23,多數為定制產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。


SOP(Small Outline Packages)

小外形引腳封裝。

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SSOP(Shrink Small-Outline Package)

窄間距小外型塑封裝,1968~1969年飛利浦公司就開發出小外形封裝(SOP)。


TSOP(Thin Small Outline Package)

意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內存是在芯片的周圍做出引腳,采用SMT技術(表面安裝技術)直接附著在PCB板的表面。


TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package

薄的縮小型SOP。比SOP薄,引腳更密,相同功能的話封裝尺寸更小。


HSOP(Head ?Sink Small Outline Packages)

H-(with heat sink),表示帶散熱器的標記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。

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DFP(dual flat package)

雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP)。


DSO(dual small out-lint)

雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。


MFP(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。


SO(small out-line)

SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別稱。(見SOP)。

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SOIC(small out-line integrated circuit)

SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家采用此名稱。


SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)

J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形,故此得名。通常為塑料制品,多數用于DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路,但絕大部分是DRAM。用SOJ 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm,引腳數從20 至40(見SIMM)。

SOT(Small Outline Transistor)

小外型晶體管,SOP系列封裝的一種。

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TO(Transistor Outline)

晶體管封裝。


QFP(quad flat package)

四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看,塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時, 多數情況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器,門陳列等數字邏輯LSI 電路,而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別,而是根據封裝本體厚度分為QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。另外,有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混亂。QFP 的缺點是,當引腳中心距小于0.65mm 時,引腳容易彎曲。為了防止引腳變形,現已出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP);帶樹脂保護環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP);在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專用夾具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。在邏輯LSI 方面,不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

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LQFP(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP,是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。


MQFP(metric quad flat package)

按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm 的標準QFP(見QFP)。

TQFP(Thin Quad FLat Packages)

薄塑封四角扁平封裝。


SQFP(Shorten Quad FLat Packages)

縮小型細引腳間距QFP。

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BQFP(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84 到196 左右。


PQFP(PlasticQuadFlatPackage)

塑料四邊引出扁平封裝。


FQFP(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。

PFPF(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。

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QFN(quad flat non-leaded package)

四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點,由于無引腳,貼裝占有面積比QFP 小,高度比QFP 低。但是,當印刷基板與封裝之間產生應力時,在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP 的引腳那樣多,一般從14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外,還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。


LCC(Leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝,也稱為陶瓷QFN 或QFN-C(見QFN)。


PLCC(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形, 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,現在已經普及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm,引腳數從18 到84。J 形引腳不易變形,比QFP 容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區別僅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已經無法分辨。為此,日本電子機械工業會于1988 年決定,把從四側引出J 形引腳的封裝稱為QFJ,把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。


CLCC(ceramic leaded chip carrier)

帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G。

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JLCC(J-leaded chip carrier)

J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。

LGA(land grid array)

觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,應用于高速邏輯LSI 電路。LGA 與QFP 相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜,成本高,現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。


PGA(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下,多數為陶瓷PGA,用于高速大規模邏輯LSI電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數從64 到447 左右。了為降低成本,封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64~256 引腳的塑料PG A。另外,還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝型PGA)。

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CPGA(Ceramic Pin Grid Array)

陶瓷針柵陣列封裝。


BGA(ball grid array)

球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳BGA 僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。

該封裝是美國Motorola 公司開發的,首先在便攜式電話等設備中被采用,今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數為225。現在也有一些LSI廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為,由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩定的,只能通過功能檢查來處理。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)

細間距球柵陣列。


PBGA(Plastic Ball Grid Array)

塑料焊球陣列封裝。

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FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)

倒裝芯片球柵格陣列。


CBGA

C-ceramic,陶瓷封裝的記號。陶瓷焊球陣列封裝。

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MCM(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大類。MCM-L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。MCM-C 是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。

MCM-D 是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。


OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見BGA)。


CPAC(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。


LOC(lead on chip)

芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結構,芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

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COB(chip on board)

板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。


PCLP(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處于開發階段。


SIMM(single in-line memory module)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30~40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。


SMD(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶爾,有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

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QFJ(quad flat J-leaded package)

四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出,向下呈J 字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC),用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數從32 至84。


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