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第一鋰電網(wǎng):對(duì)于那些新能源領(lǐng)域的進(jìn)入者而言,生產(chǎn)資質(zhì)像是一道“護(hù)身符”,誰(shuí)擁有了它便可以在市場(chǎng)上肆意開(kāi)掛。而已經(jīng)擁有的企業(yè)更視它為“命根兒”,生怕出現(xiàn)半點(diǎn)閃失。如今,15張獨(dú)立新建純電動(dòng)汽車生產(chǎn)資質(zhì)(簡(jiǎn)稱:生產(chǎn)資質(zhì))已經(jīng)名花有主。經(jīng)歷了多重嚴(yán)格審查之后,這些企業(yè)終于可以名正言順地開(kāi)展造車工程。實(shí)際上,當(dāng)前真正獲得新能源汽車生產(chǎn)資質(zhì)的僅有北汽新能源一家,而其余14家企業(yè)并未完全取得資質(zhì),僅僅是獲得了發(fā)改委核準(zhǔn)。一旦在2年有效期內(nèi)未實(shí)現(xiàn)規(guī)劃目標(biāo)且未向發(fā)改委申報(bào)延期,將自動(dòng)取消資格。如此看來(lái),所謂的護(hù)身符更像是鞭策符。時(shí)下,面對(duì)如此激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),這些企業(yè)的實(shí)力究竟如何?第一張資質(zhì):北汽新能源作為第一家獲得生產(chǎn)資質(zhì)小紅花的企業(yè),北汽新能源實(shí)際上具備了得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。作為北京汽車集團(tuán)有限公司重要的一個(gè)分支,實(shí)際上是為了更好地開(kāi)辟新能源業(yè)務(wù),發(fā)起并控股的一家新能源汽車制造企業(yè),憑此爭(zhēng)取到了第一張獨(dú)立生產(chǎn)資質(zhì)。根據(jù)發(fā)改委的資料顯示,北汽新能源項(xiàng)目總投資114950萬(wàn)元,其中利用原有資產(chǎn)16672萬(wàn)元,新增投資98278萬(wàn)元。當(dāng)規(guī)模投產(chǎn)后,北汽新能源將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)7萬(wàn)輛純電動(dòng)乘用車的產(chǎn)能,其中北京采育基地年產(chǎn)2萬(wàn)輛、青島萊西基地年產(chǎn)5萬(wàn)輛。在產(chǎn)品布局上,目前北汽新能源已經(jīng)共推出11款純電動(dòng)車型,覆蓋B級(jí)到A00級(jí)、轎車到SUV市場(chǎng)。在銷量方面,2016年,北汽新能源整車銷售5.16萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)156%,在新能源車市銷量居首。今年,北汽新能源預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)17萬(wàn)輛的銷售目標(biāo),并將經(jīng)銷商網(wǎng)點(diǎn)擴(kuò)充至350-400家。第二張資質(zhì):長(zhǎng)江汽車當(dāng)長(zhǎng)江汽車獲得生產(chǎn)資質(zhì)的新聞鋪天蓋地時(shí),業(yè)內(nèi)人士對(duì)此看法是“名不經(jīng)傳的企業(yè)突然悶聲響大雷”了。說(shuō)起杭州長(zhǎng)江汽車有限公司(簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江汽車),其實(shí)是一個(gè)老牌客車廠,前身為杭州公交客車廠。如今風(fēng)頭正勁的長(zhǎng)江汽車曾一度被工信部列為“黑名單”。轉(zhuǎn)折點(diǎn)是在2013年,香港五龍集團(tuán)注...
2024-06-04
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4月24日,作為第二個(gè)“中國(guó)航天日”主題活動(dòng),中國(guó)航天科工集團(tuán)公司商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)多項(xiàng)新進(jìn)展在武漢揭曉,二院就相關(guān)項(xiàng)目與武漢市新洲區(qū)政府簽訂了合作協(xié)議。集團(tuán)公司黨組書(shū)記、董事長(zhǎng)高紅衛(wèi),黨組成員、副總經(jīng)理宋欣,湖北省副省長(zhǎng)周先旺,武漢市市長(zhǎng)萬(wàn)勇,二院院長(zhǎng)符志民等領(lǐng)導(dǎo)參加了簽約儀式。二院將在產(chǎn)業(yè)基地注冊(cè)航天科工空間工程發(fā)展有限公司,注冊(cè)資金3億元,正式啟動(dòng)虹云工程等商業(yè)航天項(xiàng)目。新洲區(qū)政府將研究并落實(shí)配套優(yōu)惠政策,啟動(dòng)配套設(shè)施建設(shè),為保障合作順利,雙方將建立領(lǐng)導(dǎo)互訪交流機(jī)制和項(xiàng)目協(xié)商溝通機(jī)制,研究產(chǎn)業(yè)基地各項(xiàng)工作。據(jù)悉,航天科工將在產(chǎn)業(yè)基地依次布局火箭產(chǎn)業(yè)園、衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)園、無(wú)人機(jī)產(chǎn)業(yè)園、新材料產(chǎn)業(yè)園四大園區(qū),打造體系完整、重點(diǎn)突出的商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)集群,預(yù)計(jì)到“十三五”末,將有100-150家企業(yè)入駐,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值300億元。
2024-06-04
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IC封裝圖片大全名詞釋義COF(Chip On Flex,或Chip On Film,常稱覆晶薄膜)將IC固定于柔性線路板上晶粒軟膜構(gòu)裝技術(shù),是運(yùn)用軟質(zhì)附加電路板作封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路接合的技術(shù)。COG(Chip on glass)即芯片被直接綁定在玻璃上。這種方式可以大大減小整個(gè)LCD模塊的體積,并且易于大批量生產(chǎn),使用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如手機(jī),PDA等。DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分, 只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip。PDIPP-Plasti,表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP 表示塑料DIP。SDIP (shrink dual in-line package)收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。SKDIP/SKY(Skinny Dual In-line Packages) DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見(jiàn)DIP)。DIP-tabDIP 的一種。CDIPC-ceramic,陶瓷封裝的記號(hào)。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。DICP(dualtapecarrierpackage)雙側(cè)引腳帶載封...
2024-06-04
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中國(guó)各地成立基金支持集成電路等產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)起云涌,目前除了北、上、深一線城市,各省市均有規(guī)模不等的集成電路投資基金,總計(jì)規(guī)模超過(guò)3千億元,如果加上民間資金很可能已經(jīng)超過(guò)3500億元規(guī)模。這股各地投資集成電路的風(fēng)潮又快又猛,已引起專家關(guān)注。一、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金2014年6月24日《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》正式發(fā)布實(shí)施后,明確提出設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金,并支持設(shè)立地方性集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,鼓勵(lì)社會(huì)各類風(fēng)險(xiǎn)投資和股權(quán)投資基金進(jìn)入集成電路領(lǐng)域。截至2016年年底,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司"大基金"兩年多來(lái)共決策投資43個(gè)項(xiàng)目,累計(jì)項(xiàng)目承諾投資額818億元,實(shí)際出資超過(guò)560億元。已實(shí)施項(xiàng)目覆蓋了集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、裝備、材料、生態(tài)建設(shè)等各環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)了在產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。二、地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金全國(guó)也各地掀起了一股基金熱潮。根據(jù)業(yè)內(nèi)專家統(tǒng)計(jì)、整理了國(guó)內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金情況。●北京300億元2013年12月北京宣布設(shè)立集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資基金,基金總規(guī)模300億元。2014年6月4日確定北京盛世宏明投資基金管理有限公司為母基金及制造和裝備子基金管理公司,北京清芯華創(chuàng)投資管理有限公司為設(shè)計(jì)和封測(cè)子基金管理公司。2014年7月29日北京集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資基金有限公司成立,注冊(cè)資本90.09億元。股東包括中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)股份有限公司、北京盛世宏明投資基金管理有限公司。參與的項(xiàng)目有瑞典MEMS晶圓代工商Silex收購(gòu)案、圓融光電等。●湖北300億元2015年湖北宣布設(shè)立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,基金總規(guī)模300億元,建設(shè)武漢中國(guó)光谷集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū);2015年8月5日湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司成立,注冊(cè)資本50億元。股東包括武漢經(jīng)濟(jì)發(fā)展投資(集團(tuán))有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司。參與的項(xiàng)目有武漢新芯二期。●合肥100億元2015...
2024-06-04
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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司(CETC)成立于2002年3月1日,是以原信息產(chǎn)業(yè)部直屬電子研究院所和高科技企業(yè)為基礎(chǔ)、組建而成的國(guó)有大型企業(yè)集團(tuán),也是國(guó)家批準(zhǔn)的國(guó)有資產(chǎn)授權(quán)投資機(jī)構(gòu)之一。由國(guó)務(wù)院國(guó)有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會(huì)直接監(jiān)管。集團(tuán)公司總部設(shè)在北京,所屬二級(jí)成員單位58家,三級(jí)公司184家,分布在全國(guó)18個(gè)省市區(qū)。其中,有7家公司是上市公司,包括杰賽科技、海康威視、太極股份、華東電腦、四創(chuàng)電子、衛(wèi)士通和國(guó)睿科技。集團(tuán)公司注冊(cè)資本47.68億元,2013年實(shí)現(xiàn)總收入1200億元。
2024-06-04
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IGBT:  是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件。IGBT:  是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件。場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT有什么不同?IGBT更強(qiáng)大。因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管主要是靠導(dǎo)電層的夾斷來(lái)控制導(dǎo)通和關(guān)段的,容易擊穿和靜電危機(jī)。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)它都有IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點(diǎn)說(shuō)GBT管是有MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)和雙極型達(dá)林頓管結(jié)合而成。將場(chǎng)效應(yīng)管做為推動(dòng)管,大功率達(dá)林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機(jī)的結(jié)合成現(xiàn)在的IGBT管,功率可以做的很大。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集...
2024-06-04
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IGBT是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,具有高頻率、高電壓、大電流,易于開(kāi)關(guān)等優(yōu)良性能,被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”,廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機(jī)傳動(dòng)、汽車等強(qiáng)電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。隨著以軌道交通為代表的新興市場(chǎng)興起,中國(guó)已經(jīng)成為全球IGBT最大需求市場(chǎng)。IGBT按電壓分布應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)源:SITRI產(chǎn)業(yè)研究搜集整理IGBT技術(shù)發(fā)展史從上世紀(jì)80年代至今,IGBT經(jīng)歷了六代技術(shù)的發(fā)展演變,這個(gè)過(guò)程是很艱苦的,面對(duì)的是大量的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)調(diào)整和工藝上的難題。IGBT從第一代到第六代的演變發(fā)展進(jìn)程來(lái)源:SITRI產(chǎn)業(yè)研究搜集整理IGBT技術(shù)發(fā)展歷史來(lái)源:內(nèi)部資料回顧IGBT的發(fā)展歷程,其主要從三方面發(fā)展演變:(1)器件縱向結(jié)構(gòu):非穿通型(NPT)結(jié)構(gòu)→擁有緩沖層的穿通型(PT)結(jié)構(gòu)→場(chǎng)終止型(FS)、軟穿通型(SPT)結(jié)構(gòu)(2)柵極結(jié)構(gòu):平面柵結(jié)構(gòu)→垂直于芯片表面的溝槽型結(jié)構(gòu)(3)硅片的加工工藝:外延生長(zhǎng)技術(shù)→區(qū)熔硅單晶縱觀全球市場(chǎng),IGBT主要供應(yīng)廠商基本是歐美及日本幾家公司,它們代表著目前IGBT技術(shù)的最高水平,包括德國(guó)英飛凌、瑞士ABB、美國(guó)IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司。其IGBT技術(shù)基本發(fā)展到第六代技術(shù)產(chǎn)品,IGBT產(chǎn)品覆蓋了600-6500V/2-3600A全線產(chǎn)品。在高電壓等級(jí)領(lǐng)域(3300V以上)更是完全由英飛凌、ABB、三菱三大公司所控制,在大功率溝槽技術(shù)方面,英飛凌與三菱公司處于國(guó)際領(lǐng)先水平。國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商我國(guó)的IGBT廠商主要包含IDM廠商株洲中車時(shí)代電氣、深圳比亞迪、杭州士蘭微、吉林華微、中航微電子、中環(huán)股份等;模組廠商西安永電、西安愛(ài)帕克、威海新佳、江蘇宏微、嘉興斯達(dá)、南京銀茂、深圳比亞迪等;芯片設(shè)計(jì)廠商中科君芯、西安芯派、寧波達(dá)新、無(wú)錫同方微、無(wú)錫新潔能、山東科達(dá)等;芯片...
2024-06-04
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半導(dǎo)體一分鐘芯聞,您的芯聞助理,每天一分鐘,我們?yōu)槟峁┬袠I(yè)最新資訊信息!晶圓定義晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。制造過(guò)程晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料,半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅,因此對(duì)應(yīng)的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先是硅提純,將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000 ℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合,剩下硅),得到純度約為98%的純硅,又稱作冶金級(jí)硅,這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)不夠純,因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度非常敏感,因此對(duì)冶金級(jí)硅進(jìn)行進(jìn)一步提純:將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%,成為電子級(jí)硅。接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng),最常用的方法叫直拉法。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400 ℃,爐中的空氣通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方...
2024-06-04
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中國(guó)大陸正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張寶地。繼大陸最大晶圓代工廠中芯國(guó)際近一個(gè)月接連在上海、深圳建12寸廠后,晶圓代工廠聯(lián)電16日也宣布,廈門(mén)12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路制造(廈門(mén))開(kāi)始營(yíng)運(yùn)。從上表中可以看出,中芯國(guó)際擴(kuò)張可謂明顯。那么,中芯國(guó)際啟動(dòng)此次大幅擴(kuò)張策略的信心來(lái)自哪里呢?首先,中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)的領(lǐng)頭羊。其次,中芯國(guó)際股價(jià)大幅上揚(yáng)。 再次,中芯國(guó)際2020年有望進(jìn)入全球代工前三。最后,中芯國(guó)際的產(chǎn)能擴(kuò)充效果明顯。 因此,現(xiàn)階段對(duì)中芯國(guó)際而言,可能擴(kuò)充產(chǎn)能是提高銷售額的有效方法之一,銷售額的提升將有利于中芯國(guó)際的折舊能力提高,可以使其負(fù)擔(dān)更大的投資。”臺(tái)積電(TSMC)是晶圓代工產(chǎn)業(yè)的2015年銷售業(yè)績(jī)龍頭,去年銷售額達(dá)到了264億美元;從12英寸計(jì),目前臺(tái)積電的月產(chǎn)能約是100萬(wàn)片,但是依然供不應(yīng)求,產(chǎn)能相當(dāng)吃緊。臺(tái)積電在南京市建設(shè)的12寸生產(chǎn)線,產(chǎn)能規(guī)劃為2萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)于2018年量產(chǎn)16納米制程,但是理論上來(lái)說(shuō),這樣的產(chǎn)能擴(kuò)充,似乎還不能滿足大陸客戶日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,據(jù)稱后續(xù)產(chǎn)能可能會(huì)擴(kuò)到4萬(wàn)片。聯(lián)電晶圓代工廠,于11月16日宣布,廈門(mén)12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路制造(廈門(mén))開(kāi)始營(yíng)運(yùn)(加入中國(guó)大陸現(xiàn)有12寸晶圓廠之列),這是首座兩岸合資12寸晶圓廠。英特爾、三星與SK 海力士大廠早已在中國(guó)插旗,并將主力放在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)。特別的是英特爾大連12 寸晶圓廠在2010 年完工當(dāng)時(shí),廠房規(guī)劃用以生產(chǎn)65 納米制程CPU ,但在產(chǎn)能利用率低落下,2015 年10 月英特爾宣布與大連市政府合作,投資55 億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3D-NANDFlash 并在今年7 月底重新宣告投產(chǎn)。中國(guó)本土廠商現(xiàn)有12 寸廠的為中芯國(guó)際與華力微,兩者分別在上海都有廠房,中芯在北京還有B1、B2 兩座晶圓廠,其中B2 廠制程已至28納米。5月聯(lián)電宣布與福建晉華集成電路簽署技術(shù)...
2024-06-04
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廈門(mén)三安建成6吋化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線11月10日訊 據(jù)廈門(mén)日?qǐng)?bào)報(bào)道  在廈門(mén)火炬高新區(qū),有這樣一種“黑科技”,它能夠讓你的智能手機(jī)反應(yīng)速度更快、電池使用時(shí)間更長(zhǎng)。這,就是化合物半導(dǎo)體。高新區(qū)企業(yè)廈門(mén)市三安集成電路有限公司在國(guó)內(nèi)率先建成了6吋化合物半導(dǎo)體的量產(chǎn)線和代工線,從而打破了國(guó)外廠商的壟斷。目前,該公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌的小規(guī)模供貨,明年有望參與到國(guó)際一線市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中。  △圖為三安集成電路技術(shù)中心副總監(jiān)葉念慈在ICMC2016上講解6寸化合物半導(dǎo)體射頻體積變小 性能卻更快更高  所謂化合物半導(dǎo)體材料,是指砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等有別于第一代硅半導(dǎo)體的二、三代半導(dǎo)體。通俗地說(shuō),應(yīng)用這些半導(dǎo)體材料,不僅可以提高能源轉(zhuǎn)換效率,還能加快反應(yīng)速度,并大幅縮小電路體積。  廈門(mén)三安集成電路公司副總經(jīng)理?xiàng)罱〗榻B,不僅是手機(jī),化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛,而且大都是市民們平常能接觸的領(lǐng)域:WiFi電路、通訊基站、物聯(lián)網(wǎng),或者電源管理、電動(dòng)汽車等方面。  比如,筆記本充電線上,往往還帶有一塊不小的適配器,如果使用高效率的氮化鎵、碳化硅高功率半導(dǎo)體器件,它們有希望變小從而鑲嵌進(jìn)筆記本主機(jī)中;電動(dòng)汽車也一樣,使用后不僅提高電池壽命,實(shí)現(xiàn)電能損耗最小化,還可以使相關(guān)組件尺寸縮小,降低重量。  自主技術(shù)領(lǐng)先 將打破國(guó)際壟斷  目前,化合物半導(dǎo)體集成電路以砷化鎵和氮化鎵材料為主,市場(chǎng)幾乎由國(guó)外公司掌控,國(guó)內(nèi)僅少數(shù)幾家科研院所在進(jìn)行研發(fā)和少量生產(chǎn),且主要供應(yīng)國(guó)內(nèi)軍品使用。  “我們?cè)趪?guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),將打破這種壟斷局面。”楊健介紹說(shuō),三安集成電路生產(chǎn)線從2014年10月才開(kāi)始動(dòng)工建設(shè),在不到兩年的時(shí)間內(nèi)已經(jīng)初步具備了在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。  據(jù)了解,三安集成電路的專家團(tuán)隊(duì)主要來(lái)自美國(guó)、日本等地,多名成員還與國(guó)外射頻大廠共同參與了蘋(píng)果、三星等手機(jī)方案設(shè)計(jì),自主技術(shù)處于國(guó)際先進(jìn)水平。  如...
2024-06-04
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大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)勢(shì)洶洶,全球戰(zhàn)況急升溫,臺(tái)灣亮警訊!工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)16日警告,挾政策、資金、內(nèi)需市場(chǎng),及“一帶一路”戰(zhàn)略等優(yōu)勢(shì)進(jìn)擊的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),正積極建構(gòu)以紫光集團(tuán)為領(lǐng)頭羊的整合元件制造商(IDM)生態(tài)鏈布局與策略投資,未來(lái)10年內(nèi),從制造、設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試,大陸將是全球半導(dǎo)體制造的重量級(jí)玩家,臺(tái)廠面臨嚴(yán)重考驗(yàn)。IEK在16日舉行“群雄并起競(jìng)爭(zhēng)加劇──2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新樣貌”研討會(huì),從半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)談今后發(fā)展趨勢(shì)。     值得關(guān)注的是,大陸政府這幾年半導(dǎo)體政策大力推行,不惜動(dòng)用國(guó)家資源挹注本土企業(yè),清華紫光、展訊到中芯國(guó)際等紅色供應(yīng)鏈已經(jīng)形成,對(duì)臺(tái)廠步步進(jìn)逼。     陸企近10年快速崛起     在上游IC設(shè)計(jì)業(yè)方面,IC Insights數(shù)據(jù)顯示,大陸近10年快速崛起,2004年前50大沒(méi)有中國(guó)業(yè)者,到了2015年,海思、展訊等7家廠商入榜,且排名呈現(xiàn)上升狀態(tài)。IEK產(chǎn)業(yè)分析師范哲豪指出,兩岸差距正在縮小,從規(guī)模來(lái)看,如今海思已有臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科的一半左右,且大于排行第二的聯(lián)詠。展訊和銳迪科正式合并后,也將超越聯(lián)詠。     至于晶圓代工,目前臺(tái)積電仍以54.3%的全球市占率,穩(wěn)居龍頭寶座。不過(guò),在《中國(guó)制造2025》背景下,IEK產(chǎn)業(yè)分析師陳婉儀認(rèn)為,“進(jìn)擊的中國(guó)”將在5年邁向自主化,實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng)鏈和內(nèi)需市場(chǎng)極大化,進(jìn)而在10年后試圖邁向領(lǐng)導(dǎo)階級(jí),發(fā)展國(guó)際規(guī)模化的產(chǎn)業(yè)。過(guò)程之中,大陸將持續(xù)通過(guò)海外參股并購(gòu),或引外資進(jìn)駐國(guó)內(nèi)等方式,補(bǔ)足供應(yīng)鏈、經(jīng)濟(jì)規(guī)模和生態(tài)鏈等三大缺口。     陸制芯片隨帶路外銷     此外,陳婉儀表示,大陸為了讓鋼鐵、基礎(chǔ)建設(shè)等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)...
2024-06-04
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