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第一鋰電網：對于那些新能源領域的進入者而言，生產資質像是一道“護身符”，誰擁有了它便可以在市場上肆意開掛。而已經擁有的企業更視它為“命根兒”，生怕出現半點閃失。如今，15張獨立新建純電動汽車生產資質(簡稱：生產資質)已經名花有主。經歷了多重嚴格審查之后，這些企業終于可以名正言順地開展造車工程。實際上，當前真正獲得新能源汽車生產資質的僅有北汽新能源一家，而其余14家企業并未完全取得資質，僅僅是獲得了發改委核準。一旦在2年有效期內未實現規劃目標且未向發改委申報延期，將自動取消資格。如此看來，所謂的護身符更像是鞭策符。時下，面對如此激烈的市場競爭，這些企業的實力究竟如何？第一張資質：北汽新能源作為第一家獲得生產資質小紅花的企業，北汽新能源實際上具備了得天獨厚的優勢。作為北京汽車集團有限公司重要的一個分支，實際上是為了更好地開辟新能源業務，發起并控股的一家新能源汽車制造企業，憑此爭取到了第一張獨立生產資質。根據發改委的資料顯示，北汽新能源項目總投資114950萬元,其中利用原有資產16672萬元,新增投資98278萬元。當規模投產后，北汽新能源將實現年產7萬輛純電動乘用車的產能，其中北京采育基地年產2萬輛、青島萊西基地年產5萬輛。在產品布局上，目前北汽新能源已經共推出11款純電動車型，覆蓋B級到A00級、轎車到SUV市場。在銷量方面，2016年，北汽新能源整車銷售5.16萬輛，同比增長156%，在新能源車市銷量居首。今年，北汽新能源預計實現17萬輛的銷售目標，并將經銷商網點擴充至350-400家。第二張資質：長江汽車當長江汽車獲得生產資質的新聞鋪天蓋地時，業內人士對此看法是“名不經傳的企業突然悶聲響大雷”了。說起杭州長江汽車有限公司(簡稱:長江汽車)，其實是一個老牌客車廠，前身為杭州公交客車廠。如今風頭正勁的長江汽車曾一度被工信部列為“黑名單”。轉折點是在2013年，香港五龍集團注...

2024-06-04

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二院在商業航天領域又干了票大的

4月24日，作為第二個“中國航天日”主題活動，中國航天科工集團公司商業航天產業多項新進展在武漢揭曉，二院就相關項目與武漢市新洲區政府簽訂了合作協議。集團公司黨組書記、董事長高紅衛，黨組成員、副總經理宋欣，湖北省副省長周先旺，武漢市市長萬勇，二院院長符志民等領導參加了簽約儀式。二院將在產業基地注冊航天科工空間工程發展有限公司，注冊資金3億元，正式啟動虹云工程等商業航天項目。新洲區政府將研究并落實配套優惠政策，啟動配套設施建設，為保障合作順利，雙方將建立領導互訪交流機制和項目協商溝通機制，研究產業基地各項工作。據悉，航天科工將在產業基地依次布局火箭產業園、衛星產業園、無人機產業園、新材料產業園四大園區，打造體系完整、重點突出的商業航天產業集群，預計到“十三五”末，將有100-150家企業入駐，實現年產值300億元。

2024-06-04

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IC封裝圖片大全（含各種名詞釋義）

IC封裝圖片大全名詞釋義COF(Chip On Flex，或Chip On Film，常稱覆晶薄膜）將IC固定于柔性線路板上晶粒軟膜構裝技術，是運用軟質附加電路板作封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路接合的技術。COG(Chip on glass)即芯片被直接綁定在玻璃上。這種方式可以大大減小整個LCD模塊的體積，并且易于大批量生產，使用于消費類電子產品，如手機，PDA等。DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip。PDIPP-Plasti,表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。SDIP (shrink dual in-line package)收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。SKDIP/SKY(Skinny Dual In-line Packages) DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見DIP)。DIP-tabDIP 的一種。CDIPC-ceramic，陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。DICP(dualtapecarrierpackage)雙側引腳帶載封...

2024-06-04

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國內各地集成電路產業投資基金情況匯總

中國各地成立基金支持集成電路等產業發展風起云涌，目前除了北、上、深一線城市，各省市均有規模不等的集成電路投資基金，總計規模超過3千億元，如果加上民間資金很可能已經超過3500億元規模。這股各地投資集成電路的風潮又快又猛，已引起專家關注。一、國家集成電路產業投資基金2014年6月24日《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發布實施后，明確提出設立國家產業投資基金，并支持設立地方性集成電路產業投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權投資基金進入集成電路領域。截至2016年年底，國家集成電路產業投資基金股份有限公司＂大基金＂兩年多來共決策投資43個項目，累計項目承諾投資額818億元，實際出資超過560億元。已實施項目覆蓋了集成電路設計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態建設等各環節，實現了在產業鏈上的完整布局。二、地方集成電路產業投資基金全國也各地掀起了一股基金熱潮。根據業內專家統計、整理了國內的集成電路產業投資基金情況。●北京300億元2013年12月北京宣布設立集成電路產業發展股權投資基金，基金總規模300億元。2014年6月4日確定北京盛世宏明投資基金管理有限公司為母基金及制造和裝備子基金管理公司，北京清芯華創投資管理有限公司為設計和封測子基金管理公司。2014年7月29日北京集成電路產業發展股權投資基金有限公司成立，注冊資本90.09億元。股東包括中關村發展集團股份有限公司、北京盛世宏明投資基金管理有限公司。參與的項目有瑞典MEMS晶圓代工商Silex收購案、圓融光電等。●湖北300億元2015年湖北宣布設立集成電路產業投資基金，基金總規模300億元，建設武漢中國光谷集成電路產業園區；2015年8月5日湖北集成電路產業投資基金股份有限公司成立，注冊資本50億元。股東包括武漢經濟發展投資（集團）有限公司、湖北省科技投資集團有限公司。參與的項目有武漢新芯二期。●合肥100億元2015...

2024-06-04

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中國電子科技集團公司家族譜

中國電子科技集團公司（CETC）成立于2002年3月1日，是以原信息產業部直屬電子研究院所和高科技企業為基礎、組建而成的國有大型企業集團，也是國家批準的國有資產授權投資機構之一。由國務院國有資產監督管理委員會直接監管。集團公司總部設在北京，所屬二級成員單位58家，三級公司184家，分布在全國18個省市區。其中，有7家公司是上市公司，包括杰賽科技、海康威視、太極股份、華東電腦、四創電子、衛士通和國睿科技。集團公司注冊資本47.68億元，2013年實現總收入1200億元。

2024-06-04

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詳解IGBT結構、原理、特性

IGBT：是一種大功率的電力電子器件，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。IGBT：是一種大功率的電力電子器件，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。場效應管和IGBT有什么不同？IGBT更強大。因為場效應管主要是靠導電層的夾斷來控制導通和關段的，容易擊穿和靜電危機。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場效應管的優點它都有IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。專業名字為絕緣柵雙極型功率管。通俗點說GBT管是有MOS管（場效應管）和雙極型達林頓管結合而成。將場效應管做為推動管，大功率達林頓管作為輸出管。這樣兩者優點有機的結合成現在的IGBT管，功率可以做的很大。場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集...

2024-06-04

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國內IGBT產業鏈主要公司一覽

IGBT是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。隨著以軌道交通為代表的新興市場興起，中國已經成為全球IGBT最大需求市場。IGBT按電壓分布應用領域來源：SITRI產業研究搜集整理IGBT技術發展史從上世紀80年代至今，IGBT經歷了六代技術的發展演變，這個過程是很艱苦的，面對的是大量的結構設計調整和工藝上的難題。IGBT從第一代到第六代的演變發展進程來源：SITRI產業研究搜集整理IGBT技術發展歷史來源：內部資料回顧IGBT的發展歷程，其主要從三方面發展演變：（1）器件縱向結構：非穿通型(NPT)結構→擁有緩沖層的穿通型(PT)結構→場終止型（FS）、軟穿通型（SPT）結構（2）柵極結構：平面柵結構→垂直于芯片表面的溝槽型結構（3）硅片的加工工藝：外延生長技術→區熔硅單晶縱觀全球市場，IGBT主要供應廠商基本是歐美及日本幾家公司，它們代表著目前IGBT技術的最高水平，包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司。其IGBT技術基本發展到第六代技術產品，IGBT產品覆蓋了600-6500V/2-3600A全線產品。在高電壓等級領域（3300V以上）更是完全由英飛凌、ABB、三菱三大公司所控制，在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際領先水平。國內IGBT產業鏈主要廠商我國的IGBT廠商主要包含IDM廠商株洲中車時代電氣、深圳比亞迪、杭州士蘭微、吉林華微、中航微電子、中環股份等；模組廠商西安永電、西安愛帕克、威海新佳、江蘇宏微、嘉興斯達、南京銀茂、深圳比亞迪等；芯片設計廠商中科君芯、西安芯派、寧波達新、無錫同方微、無錫新潔能、山東科達等；芯片...

2024-06-04

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碳化硅電力電子器件在航空中的應用（南京航空航天大學-秦海鴻）

2024-06-04

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中國晶圓制造線匯總及行業知識普及（含12寸、8寸、6寸、4寸線）

半導體一分鐘芯聞，您的芯聞助理，每天一分鐘，我們為您提供行業最新資訊信息！晶圓定義晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。制造過程晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先是硅提純，將沙石原料放入一個溫度約為2000 ℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應（碳與氧結合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純，因為半導體材料的電學特性對雜質的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態的氯化氫進行氯化反應，生成液態的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%，成為電子級硅。接下來是單晶硅生長，最常用的方法叫直拉法。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內部晶格方...

2024-06-04

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【圖解】中國航天科技集團

2024-06-04

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目前中國大陸晶圓廠分布、產能及生產項目（8寸12寸，最全）

中國大陸正在成為全球半導體產業擴張寶地。繼大陸最大晶圓代工廠中芯國際近一個月接連在上海、深圳建12寸廠后，晶圓代工廠聯電16日也宣布，廈門12寸合資晶圓廠聯芯集成電路制造（廈門）開始營運。從上表中可以看出，中芯國際擴張可謂明顯。那么，中芯國際啟動此次大幅擴張策略的信心來自哪里呢？首先，中芯國際是國內芯片制造業的領頭羊。其次，中芯國際股價大幅上揚。再次，中芯國際2020年有望進入全球代工前三。最后，中芯國際的產能擴充效果明顯。因此，現階段對中芯國際而言，可能擴充產能是提高銷售額的有效方法之一，銷售額的提升將有利于中芯國際的折舊能力提高，可以使其負擔更大的投資。”臺積電(TSMC)是晶圓代工產業的2015年銷售業績龍頭，去年銷售額達到了264億美元；從12英寸計，目前臺積電的月產能約是100萬片，但是依然供不應求，產能相當吃緊。臺積電在南京市建設的12寸生產線，產能規劃為2萬片/月，預計于2018年量產16納米制程，但是理論上來說，這樣的產能擴充，似乎還不能滿足大陸客戶日益增長的市場需求，據稱后續產能可能會擴到4萬片。聯電晶圓代工廠，于11月16日宣布，廈門12寸合資晶圓廠聯芯集成電路制造（廈門）開始營運（加入中國大陸現有12寸晶圓廠之列），這是首座兩岸合資12寸晶圓廠。英特爾、三星與SK 海力士大廠早已在中國插旗，并將主力放在存儲產業。特別的是英特爾大連12 寸晶圓廠在2010 年完工當時，廠房規劃用以生產65 納米制程CPU ，但在產能利用率低落下，2015 年10 月英特爾宣布與大連市政府合作，投資55 億美元轉型生產3D-NANDFlash 并在今年7 月底重新宣告投產。中國本土廠商現有12 寸廠的為中芯國際與華力微，兩者分別在上海都有廠房，中芯在北京還有B1、B2 兩座晶圓廠，其中B2 廠制程已至28納米。5月聯電宣布與福建晉華集成電路簽署技術...

2024-06-04

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廈門三安建成6吋化合物半導體生產線

廈門三安建成6吋化合物半導體生產線11月10日訊據廈門日報報道在廈門火炬高新區，有這樣一種“黑科技”，它能夠讓你的智能手機反應速度更快、電池使用時間更長。這，就是化合物半導體。高新區企業廈門市三安集成電路有限公司在國內率先建成了6吋化合物半導體的量產線和代工線，從而打破了國外廠商的壟斷。目前，該公司已經實現了對國內手機品牌的小規模供貨，明年有望參與到國際一線市場的競爭中。　　△圖為三安集成電路技術中心副總監葉念慈在ICMC2016上講解6寸化合物半導體射頻體積變小性能卻更快更高　　所謂化合物半導體材料，是指砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等有別于第一代硅半導體的二、三代半導體。通俗地說，應用這些半導體材料，不僅可以提高能源轉換效率，還能加快反應速度，并大幅縮小電路體積。　　廈門三安集成電路公司副總經理楊健介紹，不僅是手機，化合物半導體的應用范圍相當廣泛，而且大都是市民們平常能接觸的領域:WiFi電路、通訊基站、物聯網，或者電源管理、電動汽車等方面。　　比如，筆記本充電線上，往往還帶有一塊不小的適配器，如果使用高效率的氮化鎵、碳化硅高功率半導體器件，它們有希望變小從而鑲嵌進筆記本主機中；電動汽車也一樣，使用后不僅提高電池壽命，實現電能損耗最小化，還可以使相關組件尺寸縮小，降低重量。　　自主技術領先將打破國際壟斷　　目前，化合物半導體集成電路以砷化鎵和氮化鎵材料為主，市場幾乎由國外公司掌控，國內僅少數幾家科研院所在進行研發和少量生產，且主要供應國內軍品使用。　　“我們在國內率先實現量產，將打破這種壟斷局面。”楊健介紹說，三安集成電路生產線從2014年10月才開始動工建設，在不到兩年的時間內已經初步具備了在國際競爭的實力。　　據了解，三安集成電路的專家團隊主要來自美國、日本等地，多名成員還與國外射頻大廠共同參與了蘋果、三星等手機方案設計，自主技術處于國際先進水平。　　如...

2024-06-04

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數據庫|封裝|封裝檢索表

2024-06-04

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全球晶圓代工、IC設計排行榜

大陸半導體產業來勢洶洶，全球戰況急升溫，臺灣亮警訊！工研院產經中心（IEK）16日警告，挾政策、資金、內需市場，及“一帶一路”戰略等優勢進擊的中國半導體產業，正積極建構以紫光集團為領頭羊的整合元件制造商（IDM）生態鏈布局與策略投資，未來10年內，從制造、設計到封裝測試，大陸將是全球半導體制造的重量級玩家，臺廠面臨嚴重考驗。IEK在16日舉行“群雄并起競爭加劇──2016年全球半導體產業新樣貌”研討會，從半導體上下游產業鏈來談今后發展趨勢。值得關注的是，大陸政府這幾年半導體政策大力推行，不惜動用國家資源挹注本土企業，清華紫光、展訊到中芯國際等紅色供應鏈已經形成，對臺廠步步進逼。陸企近10年快速崛起在上游IC設計業方面，IC Insights數據顯示，大陸近10年快速崛起，2004年前50大沒有中國業者，到了2015年，海思、展訊等7家廠商入榜，且排名呈現上升狀態。IEK產業分析師范哲豪指出，兩岸差距正在縮小，從規模來看，如今海思已有臺灣IC設計龍頭聯發科的一半左右，且大于排行第二的聯詠。展訊和銳迪科正式合并后，也將超越聯詠。至于晶圓代工，目前臺積電仍以54.3%的全球市占率，穩居龍頭寶座。不過，在《中國制造2025》背景下，IEK產業分析師陳婉儀認為，“進擊的中國”將在5年邁向自主化，實現本土供應鏈和內需市場極大化，進而在10年后試圖邁向領導階級，發展國際規模化的產業。過程之中，大陸將持續通過海外參股并購，或引外資進駐國內等方式，補足供應鏈、經濟規模和生態鏈等三大缺口。陸制芯片隨帶路外銷此外，陳婉儀表示，大陸為了讓鋼鐵、基礎建設等傳統產業...

2024-06-04

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